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AEC-Q100認證試驗第三方檢測機構(gòu)

簡要描述:

廣電計量AEC-Q100認證試驗第三方檢測機構(gòu)失效分析實驗室AEC-Q技術(shù)團隊,執(zhí)行過大量的AEC-Q測試案例,積累了豐富的認證試驗經(jīng)驗,可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認證試驗服務(wù)。

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更新日期:2024-09-04

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AEC-Q100認證試驗第三方檢測機構(gòu)
品牌廣電計量加工定制
服務(wù)區(qū)域全國服務(wù)周期常規(guī)3-5天
服務(wù)類型元器件篩選及失效分析服務(wù)資質(zhì)CMA/CNAS認可
證書報告中英文電子/紙質(zhì)報告增值服務(wù)可加急檢測
是否可定制是否有發(fā)票

AEC-Q100認證試驗第三方檢測機構(gòu)服務(wù)背景

IC作為重要的車載元器件部件,是AEC委員會持續(xù)關(guān)注的重點領(lǐng)域。AEC-Q100對IC的可靠性測試可細分為加速環(huán)境應(yīng)力可靠性、加速壽命模擬可靠性、封裝可靠性、晶圓制程可靠性、電學參數(shù)驗證、缺陷篩查、包裝完整性試驗,且需要根據(jù)器件所能承受的溫度等級選擇測試條件。需要注意的是,第三方難以獨立完成AEC-Q100的驗證,需要晶圓供應(yīng)商、封測廠配合完成,這更加考驗對認證試驗的整體把控能力。廣電計量將根據(jù)客戶的要求,依據(jù)標準對客戶的IC進行評估,出具合理的認證方案,從而助力IC的可靠性認證。

廣電計量失效分析實驗室AEC-Q技術(shù)團隊,執(zhí)行過大量的AEC-Q測試案例,積累了豐富的認證試驗經(jīng)驗,可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認證試驗服務(wù)。


AEC-Q100認證試驗第三方檢測機構(gòu)產(chǎn)品范圍

集成電路(IC)


測試周期

3-4個月,提供全面的認證計劃、測試等服務(wù)


測試項目

序號

測試項目

縮寫

樣品數(shù)/批

批數(shù)

測試方法

A組 加速環(huán)境應(yīng)力試驗

A1

Preconditioning

PC

77

3

J-STD-020、

JESD22-A113

A2

Temperature-Humidity-Bias

THB

77

3

JESD22-A101

Biased HAST

HAST

JESD22-A110

A3

Autoclave

AC

77

3

JESD22-A102

Unbiased HAST

UHST

JESD22-A118

Temperature-Humidity (without Bias)

TH

JESD22-A101

A4

Temperature Cycling

TC

77

3

JESD22-A104、Appendix 3

A5

Power Temperature Cycling

PTC

45

1

JESD22-A105

A6

High Temperature Storage Life

HSTL

45

1

JESD22-A103

B組 加速壽命模擬試驗

B1

High Temperature Operating Life

HTOL

77

3

JESD22-A108

B2

Early Life Failure Rate

ELFR

800

3

AEC-Q100-008

B3

NVM Endurance, Data Retention, and Operational Life

EDR

77

3

AEC-Q100-005

C組 封裝完整性測試

C1

Wire Bond Shear

WBS

最少5個器件中的30根鍵合線

AEC-Q100-001、AEC-Q003

C2

Wire Bond Pull

WBP

MIL-STD883 method 2011、

AEC-Q003

C3

Solderability

SD

15

1

JESD22-B102或 J-STD-002D

C4

Physical Dimensions

PD

10

3

JESD22-B100、 JESD22-B108

AEC-Q003

C5

Solder Ball Shear

SBS

至少10個器件的5個鍵合球

3

AEC-Q100-010、

AEC-Q003

C6

Lead Integrity

LI

至少5個器件的10根引線

1

JESD22-B105

D組 晶圓制造可靠性測試

D1

Electromigration

EM

/

/

/

D2

Time Dependent Dielectric Breakdown

TDDB

/

/

/

D3

Hot Carrier Injection

HCI

/

/

/

D4

Negative Bias Temperature Instability

NBTI

/

/

/

D5

Stress Migration

SM

/

/

/

E組 電學驗證測試

E1

Pre- and Post-Stress Function/Parameter

TEST

所有要求做電學測試的應(yīng)力試驗的全部樣品

供應(yīng)商或用戶規(guī)格

E2

Electrostatic Discharge Human Body Model

HBM

參考測試規(guī)范

1

AEC-Q100-002

E3

Electrostatic Discharge Charged Device Model

CDM

參考測試規(guī)范

1

AEC-Q100-011

E4

Latch-Up

LU

6

1

AEC-Q100-004

E5

Electrical Distributions

ED

30

3

AEC Q100-009

AEC Q003

E6

Fault Grading

FG

-

-

AEC-Q100-007

E7

Characterization

CHAR

-

-

AEC-Q003

E9

Electromagnetic Compatibility

EMC

1

1

SAE J1752/3-輻射

E10

Short Circuit Characterization

SC

10

3

AEC-Q100-012

E11

Soft Error Rate

SER

3

1

JEDEC

無加速:JESD89-1

加速:JESD89-2或JESD89-3

E12

Lead (Pb) Free

LF

參考測試規(guī)范

參考測試規(guī)范

AEC-Q005

F組 缺陷篩選測試

F1

Process Average Testing

PAT

/

/

AEC-Q001

F2

Statistical Bin/Yield Analysis

SBA

/

/

AEC-Q002

G組 密封封裝完整性測試

G1

Mechanical Shock

MS

15

1

JESD22-B104

G2

Variable Frequency Vibration

VFV

15

1

JESD22-B103

G3

Constant Acceleration

CA

15

1

MIL-STD883 Method 2001

G4

Gross/Fine Leak

GFL

15

1

MIL-STD883 Method 1014

G5

Package Drop

DROP

5

1

/

G6

Lid Torque

LT

5

1

MIL-STD883 Method 2024

G7

Die Shear

DS

5

1

MIL-STD883 Method 2019

G8

Internal Water Vapor

IWV

5

1

MIL-STD883 Method 1018


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