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廣電計(jì)量AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),為您提供專(zhuān)業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù),同時(shí),我們也開(kāi)展了間歇工作壽命(IOL)、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮(Autoclave)試驗(yàn)服務(wù),設(shè)備能力覆蓋以SiC為第三代半導(dǎo)體器件的可靠性試驗(yàn)?zāi)芰Α?/p>
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更新日期:2024-09-04
在線(xiàn)留言品牌 | 廣電計(jì)量 | 加工定制 | 是 |
---|---|---|---|
服務(wù)區(qū)域 | 全國(guó) | 服務(wù)周期 | 常規(guī)3-5天 |
服務(wù)類(lèi)型 | 元器件篩選及失效分析 | 服務(wù)資質(zhì) | CMA/CNAS認(rèn)可 |
證書(shū)報(bào)告 | 中英文電子/紙質(zhì)報(bào)告 | 增值服務(wù) | 可加急檢測(cè) |
是否可定制 | 是 | 是否有發(fā)票 | 是 |
AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)服務(wù)背景
AEC-Q101對(duì)對(duì)各類(lèi)半導(dǎo)體分立器件的車(chē)用可靠性要求進(jìn)行了梳理。AEC-Q101試驗(yàn)不僅是對(duì)元器件可靠性的國(guó)際通用報(bào)告,更是打開(kāi)車(chē)載供應(yīng)鏈的敲門(mén)磚。 廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),為您提供專(zhuān)業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù),同時(shí),我們也開(kāi)展了間歇工作壽命(IOL)、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮(Autoclave)試驗(yàn)服務(wù),設(shè)備能力覆蓋以SiC為第三代半導(dǎo)體器件的可靠性試驗(yàn)?zāi)芰Α?/p>
隨著技術(shù)的進(jìn)步,各類(lèi)半導(dǎo)體功率器件開(kāi)始由實(shí)驗(yàn)室階段走向商業(yè)應(yīng)用,尤其以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體器件國(guó)產(chǎn)化的腳步加快。但車(chē)用分立器件市場(chǎng)均被國(guó)外所把控,國(guó)產(chǎn)器件很難分一杯羹,主要的原因之一即是可靠性得不到認(rèn)可。
測(cè)試周期
2-3個(gè)月,提供全面的認(rèn)證計(jì)劃、測(cè)試等服務(wù)
AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)產(chǎn)品范圍
二、三極管、晶體管、MOS、IBGT、TVS管、Zener、閘流管等半導(dǎo)體分立器件
測(cè)試項(xiàng)目
序號(hào) | 測(cè)試項(xiàng)目 | 縮寫(xiě) | 樣品數(shù)/批 | 批數(shù) | 測(cè)試方法 |
1 | Pre- and Post-Stress Electrical and Photometric Test | TEST | 所有應(yīng)力試驗(yàn)前后均進(jìn)行測(cè)試 | 用戶(hù)規(guī)范或供應(yīng)商的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范 | |
2 | Pre-conditioning | PC | SMD產(chǎn)品在7、8、9和10試驗(yàn)前預(yù)處理 | JESD22-A113 | |
3 | External Visual | EV | 每項(xiàng)試驗(yàn)前后均進(jìn)行測(cè)試 | JESD22-B101 | |
4 | Parametric Verification | PV | 25 | 3 Note A | 用戶(hù)規(guī)范 |
5 | High Temperature | HTRB | 77 | 3 Note B | MIL-STD-750-1 |
5a | AC blocking | ACBV | 77 | 3 Note B | MIL-STD-750-1 |
5b | High Temperature | HTFB | 77 | 3 Note B | JESD22 |
5c | Steady State | SSOP | 77 | 3 Note B | MIL-STD-750-1 |
6 | High Temperature | HTGB | 77 | 3 Note B | JESD22 |
7 | Temperature | TC | 77 | 3 Note B | JESD22 |
7a | Temperature | TCHT | 77 | 3 Note B | JESD22 |
7a | TC Delamination | TCDT | 77 | 3 Note B | JESD22 |
7b | Wire Bond Integrity | WBI | 5 | 3 Note B | MIL-STD-750 |
8 | Unbiased Highly | UHAST | 77 | 3 Note B | JESD22 |
8 | Autoclave | AC | 77 | 3 Note B | JESD22 |
9 | Highly Accelerated | HAST | 77 | 3 Note B | JESD22 |
9 | High Humidity | H3TRB | 77 | 3 Note B | JESD22 |
10 | Intermittent | IOL | 77 | 3 Note B | MIL-STD-750 |
10 | Power and | PTC | 77 | 3 Note B | JESD22 |
11 | ESD | ESD | 30 HBM | 1 | AEC-Q101-001 |
30 CDM | 1 | AEC-Q101-005 | |||
12 | Destructive | DPA | 2 | 1 NoteB | AEC-Q101-004 |
13 | Physical | PD | 30 | 1 | JESD22 |
14 | Terminal Strength | TS | 30 | 1 | MIL-STD-750 |
15 | Resistance to | RTS | 30 | 1 | JESD22 |
16 | Constant Acceleration | CA | 30 | 1 | MIL-STD-750 |
17 | Vibration Variable | VVF | 項(xiàng)目16至19是密封包裝的順序測(cè)試。 (請(qǐng)參閱圖例頁(yè)面上的注釋H.) | JEDEC | |
18 | Mechanical | MS | JEDEC | ||
19 | Hermeticity | HER | JESD22-A109 | ||
20 | Resistance to | RSH | 30 | 1 | JESD22 |
21 | Solderability | SD | 10 | 1 Note B | J-STD-002 |
22 | Thermal | TR | 10 | 1 | JESD24-3,24-4,26-6視情況而定 |
23 | Wire Bond | WBS | 最少5個(gè)器件的10條焊線(xiàn) | 1 | MIL-STD-750 |
24 | Bond Shear | BS | 最少5個(gè)器件的10條焊線(xiàn) | 1 | AEC-Q101-003 |
25 | Die Shear | DS | 5 | 1 | MIL-STD-750 |
Method 2017 | |||||
26 | Unclamped | UIS | 5 | 1 | AEC-Q101-004 |
27 | Dielectric Integrity | DI | 5 | 1 | AEC-Q101-004 |
28 | Short Circuit | SCR | 10 | 3 Note B | AEC-Q101-006 |
29 | Lead Free | LF | AEC-Q005 |
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