功率器件失效根因分析強大專家技術(shù)團隊

簡要描述：

功率器件可靠性是器件廠商和應(yīng)用方除性能參數(shù)外關(guān)注的，也是特性參數(shù)測試無法評估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應(yīng)用可靠性的基礎(chǔ)。廣電計量功率器件失效根因分析強大專家技術(shù)團隊擁有先進(jìn)的失效分析設(shè)備，專注功率器件失效根因分析，可為客?提供完整的失效根因分析服務(wù)。

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更新日期：2024-09-04

價格：

詳細(xì)介紹

品牌	廣電計量	加工定制	是
服務(wù)區(qū)域	全國	服務(wù)周期	常規(guī)3-5天
服務(wù)類型	元器件篩選及失效分析	服務(wù)資質(zhì)	CMA/CNAS認(rèn)可
證書報告	中英文電子/紙質(zhì)報告	增值服務(wù)	可加急檢測
是否可定制	是	是否有發(fā)票	是

功率器件失效根因分析強大專家技術(shù)團隊服務(wù)范圍

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分?器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊

檢測標(biāo)準(zhǔn)

l GJB548B-2005微電?器件試驗?法和程序

l GJB8897-2017軍?電?元器件失效分析要求與?法

l QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求

檢測項目

試驗類型	試驗項?
?損分析	X 射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、?相顯微鏡
電特性/電性定位分析	電參數(shù)測試、IV&CV 曲線量測、ESD、Photon Emission、OBIRCH、ATE 測試與三溫(常溫/低溫/高溫) 驗證
破壞性分析	開封、去層、切?、芯?級切片、推拉力測試
微觀顯微分析	DB FIB切?截?分析、FESEM 檢查、EDS微區(qū)元素分析、掃描電鏡、透射電鏡

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

功率器件失效根因分析強大專家技術(shù)團隊服務(wù)背景

受益于國產(chǎn)替代趨勢，國內(nèi)功率器件廠商迎來了發(fā)展機會。在成長中廠商迫切希望減少或消除產(chǎn)品失效，并在設(shè)計、?藝和產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、可靠性測試、封裝等階段進(jìn)?改進(jìn)，以迅速占領(lǐng)市場。

我們的優(yōu)勢

廣電計量擁有專家團隊及先進(jìn)的失效分析設(shè)備，專注功率器件失效根因分析，可為客?提供完整的失效根因分析服務(wù)，針對產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計、來料檢驗、加?組裝、測試篩選、客?端使?等各個環(huán)節(jié)，為客?提供失效分析咨詢、協(xié)助客?開展設(shè)計規(guī)劃、以及分析測試服務(wù)。